11月25日,三星在上月宣布成功研发首款24Gb(3GB)GDDR7DRAM之后,再次传来新进展。据其官网最新信息,公司已推出速度更快的GDDR7样品,数据传输速率从原先的28Gbps(型号K4vcf325zc-sc28)提升至32Gbps(K4vcf325zc-sc32)和36Gbps(K4vcf325zc-sc36)两个新版本。虽然目前英伟达是否将在GeForceRTX50SUPER系列显卡中采用3GB规格的GDDR7尚属未确认消息,且是否会选用更高频率的32Gbps或36Gbps版本仍待观...
11月25日,三星在上月宣布成功研发首款24gb(3gb)gddr7 dram之后,再次传来新进展。据其官网最新信息,公司已推出速度更快的gddr7样品,数据传输速率从原先的28gbps(型
号k4vcf325zc-sc28)提升至32gbps(k4vcf325zc-sc32)和36gbps(k4vcf325zc-sc36)两个新版本。
虽然目前英伟达是否将在GeForce RTX 50 SUPER系列显卡中采用3GB规格的GDDR7尚属未确认消息,且是否会选用更高频率的32Gbps或36Gbps版本仍待观察,但三星此次提速无疑为显卡制造商带来了更灵活、更高性能的选择空间。
技术方面,这款24Gb GDDR7基于三星第五代10nm级DRAM制程打造,在保持原有封装尺寸不变的情况下,实现了存储密度提升50%的突破。
与前代GDDR6使用的NRZ/PAM2以及GDDR6X采用的PAM4信号编码不同,GDDR7首次引入了创新的PAM3编码方式,有效提升了单位时间内数据传输效率。
同时,三星还将原本应用于移动设备DRAM中的节能技术迁移至图形内存领域,例如“时钟动态管理”和“双电压(VDD)架构”,大幅减少非工作状态下的电力消耗,综合能效相较前代提升超过30%。为保障高频运行的稳定性,该产品还集成了电源门控技术,显著降低漏电流风险。
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