11月5日消息，三星计划于明年2月份发布GalaxyS26系列，该系列将全球首发搭载Exynos2600芯片，这款处理器采用三星自研的2nm工艺制程，成为业界首款基于2nm技术打造的智能手机芯片。据了解，GalaxyS26产品线将精简为三款机型，分别为GalaxyS26、GalaxyS26Plus以及GalaxyS26Ultra。有分析报告指出，由于关键零部件成本上升，GalaxyS26系列的售价预计将有所上调。其中，SoC与内存等核心元件的价格因市场需求旺盛而持续走高。目前Galaxy...
11月5日消
息，三星计划于明年2月份发布galaxy s26系列，
该系列将全球首发搭载exynos 2600芯片，这款处理器采用三星自研的2nm工艺制程，成为业界首款基于2nm技术打造的智能手机芯片。
据了解，Galaxy S26产品线将精简为三款机型，分别为Galaxy S26、Galaxy S26 Plus以及Galaxy S26 Ultra。
有分析报告指出，由于关键零部件成本上升，Galaxy S26系列的售价预计将有所上调。其中，SoC与内存等核心元件的价格因市场需求旺盛而持续走高。
目前Galaxy S25系列在国内市场的起售价为5999元，若新机涨价，S26系列的起步价有望首次跨过6000元门槛。
行业专家表示，本轮存储器件价格上涨的主要原因是AI大模型训练和推理对高容量内存需求激增，使得原厂产能向服务器市场倾斜，进而影响了移动设备、PC及消费级存储产品的供应，导致NAND Flash与DRAM价格普遍上扬。
根据TrendForce集邦咨询最新数据，2025年第三季度，DRAM均价同比飙升171.8%。这一趋势正逐步蔓延至整个存储产业链，终端产品成本压力显著增加。
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