1月18日消息,当前存储芯片市场正深陷严重供需错配的困局:一边是NVIDIA及亚马逊、微软、谷歌等云服务商对高性能内存的爆发式抢购,需求强度近乎“饥渴”;另一边,三星却以极为克制的姿态推进产能释放。除主动调整产品结构、优先保障AI服务器用内存供应、压缩消费级DDR/LPDDR产线外,三星正加速推进韩国平泽园区扩产计划,以提升整体DRAM产出能力。尽管行业预测2026年全球DRAM总需求将同比激增逾30%,但三星全年DRAM晶圆产能仅计划提升约5%,至约800万片水平。此前多方分析指出,三星、SK...
1月18日消息,当前存储芯片市场正深陷严重供需错配的困局:一边是nvidia及亚马逊、微软、谷歌等云服务商对高性能内存的爆发式抢购,需求强度近乎“饥渴”;另一边,三星却以极为克制的姿态推进产能释放。
除主动调整产品结构、优先保障AI服务器用内存供应、压缩消费级DDR/LPDDR产线外,三星正加速推进韩国平泽园区扩产计划,以提升整体DRAM产出能力。
尽管行业
预测2026年全球DRAM总需求将同比激增逾30%,但三星全年DRAM晶圆产能仅计划提升约5%,至约800万片水平。
此前多方分析指出,三星、SK海力士等头部厂商对大规模扩产持审慎立场,核心顾虑在于——若AI基础设施建设节奏放缓,激进扩产可能引发后续周期性产能过剩与价格崩塌。
尤为关键的是,本轮新增产能高度聚焦于AI专用领域:SK海力士清州M15X工厂、三星平泽第四工厂(P4)、美光爱达荷新厂,其设计目标均以HBM3/HBM4为主导,而非传统通用型DRAM。
因此,即便名义上DRAM总产能有所增长,实际流向PC、智能手机、电视等消费终端的可用供给几无改善,内存紧缺局面预计将持续贯穿2026年,并可能延续至2027年上半年。
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